使用可控硅作控制器件时的接线要求

使用可控硅作控制器件时的接线要求<&#b7xml:namespace prefix = o ns = "urn:schemas-microsoft-com:office:office" />

1、可控硅的触发（控制）回路连线

调节仪表的触发信号连线必须直接接至可控硅相关的端子或引脚上，快速熔丝及测量负载电流的电表必须严格按图示规定的位置串接在可控硅的阳极取电段，绝不可在触发回路内串入熔丝、开关、电流表或一段流过负载大电流的连线（即电阻），也不要借用负载电力线作其中的一根触发信号线，以防止在触发信号中叠加上由负载电流造成的干扰电压，以至调节不良甚至失控。（见下图）

                       阳极—控制极驱动方式

                     阴极—控制极触发方式

只要在可控硅的控制极与阴极之间加上时间为数微秒（0.00000X 秒）、幅值为1～2V左右的瞬间电压即可让其导通，而一般可控硅的工作现场均存在各种高幅值的射频辐射，可控硅与控制其工作的仪表之间的连线就车位两支天线，接收这种辐射信号，情况严重时将会产生误触发，因此要求可控硅的两根控制线要尽量短，线阻要在0.1Ω内，而且要将两根连线相互绞合走线，以抵消接收到的干扰信号，这在通常情况下十分有效。

采用可控硅阳极触发信号的系统，必须确保整个可控硅回路的所有连接点接触良好，否则可能因大电流主控可控硅未能快速导通、致使仪表内部的驱动用小电流可控硅因超时流过全部的负载电流而损坏。

如发现某一相负载上的电压呈震荡状抖动，可试把该相的触发信号反相连接，即把该一相可控硅至仪表接线端子上的两根脉冲输出线互换。

2、凡用三快仪表驱动三个可控硅的控制三相负载的调节系统，必须严格按使用说明书接线，必须分清A、B、C三根相线的相序，不可用同一相线为三块仪表供电。

3、仪表的供电与其锁控制负载的供电必须取自同一电源：如同为A相和中线N或同为B相和中线N。或同为A相和C相（仪表选380V规格时），否则将导致系统工作的不正常甚至烧毁仪表和可控硅。

4、仪表驱动可控硅控制负载的调节系统，不提倡用专门变压器或稳压器单独对仪表供电，以为可能由此产生仪表与负载二者之间交流电源过零点的相移而使系统不能正常工作。倘发生相移而致的问题，可在仪表的供电端子上并联一支约1μF～10μF/AC400V的电容，电容的具体值要视相移量而决定。

5、在可控硅的阴极和阳极二端就近并接一电阻与电容的串联吸收回路，将有助于系统的长期可靠工作，电阻可选1.5Ω/1W，电容可选0.1μF/630VAC左右的规格。

6、采用可控硅作控制器件时，要保证可控硅器件有够大的散热板，由于热空气是向上流动的，因此可控硅的散热槽应呈垂直状，且有良好的通风条件，以保证在长期工作时，可控硅的结温不超过110℃，相当于散热板靠近可控硅部分的温度不超过约85℃。

7、如果可控硅散热器带电，安装时应充分考虑触电及多个可控硅之间相互断路的止预案。

8、采用“Y”形加中线接法时，可控硅的峰值耐压下限值为600V。采用“△”形接法或“Y”形无中线接法时，可控硅的耐压值为1000V。可控硅的额定电流宜在实际使用电流的1.5倍以上。

9、欲以可控硅驱动工频感应炉或降压变压器灯电感性负载，必须订做专门的仪表，如果使用普通常规仪表驱动可控硅去控制电感性负载，极有可能导致可控硅损坏和系统失控。

10、由于多数单相可控硅和双向可控硅外观相同，一次在选购时必须搞清楚需要的可控硅类型和徐昂的可控硅是否真正相符，绝不可混淆，否则有可能造成以脉冲直流驱动负载，烧毁仪表内部的反馈变压器，或把原设计的半功率加热变成全功率加热，烧毁加热对象。

11、为防止因负载对地短路而损坏可控硅，故一般可将负载接于相线端，使可控硅处于低电位端（见下图）。